[26p-E202-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[26p-E202-6] 格子歪みによるα-Ga₂O₃のバンドギャップエンジニアリング

〇河村 貴宏¹、秋山 亨¹ (1.三重大院工)

キーワード：酸化ガリウム、バンドギャップ、第一原理計算

α-Ga₂O₃デバイスの利用範囲の拡大に向け、組成や格子歪み制御によるバンドエンジニアリングに関する知見が求められている。そこで本研究では第一原理計算を用いて α-Ga₂O₃のバンド構造解析を行い、バンドギャップと格子歪みとの関係を調べた。