[26p-E203-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [26p-E203-3] Dependence of threshold power density on AlGaN underlying layer for AlGaN-based optical-pumped UV-B lasers

〇(M1)Ryota Hasegawa¹, Shuya Tanaka¹, Tomoya Omori¹, Kazuki Yamada¹, Ayumu Yabutani¹, Ryosuke Kondo¹, Eri Matsubara¹, Sho Iwayama^1,2, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Hideto Miyake² (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ)

Keywords:semiconductor, nitrider, ultra violet laser

本実験では，サンプル A，B を用いてサファイア上に形成した AlN にナノインプリント法，ICP エッ チングを用いて直径約 450 nm，ピッチ幅 1.0 µm のピラーを形成し，ICP エッチングの時間を制御することでピラ ーの高さを 1.0 µm とし，その後，サンプル A のみ残差処理をおこなった．このナノパターン AlN 上に転位密度の測定には CL による暗点密度を測定することによって評価を行った．