[26p-E203-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [26p-E203-4] Improvement of performance for UV-B laser diodes by using high reflectivity dielectric multilayer reflector

〇(M1)Ayumu Yabutani¹, Tomoya Omori¹, Kazuki Yamada¹, Ryota Hasegawa¹, Sho Iwayama¹, Yoshito Jin³, Tatsuya Matsumoto³, Masamitsu Toramaru³, Hironori Torii⁴, Hayata Toyoda¹, Daichi Imai¹, Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹, Hideto Miyake² (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ., 3.JSW, 4.JSW Afty)

Keywords:semiconductor, nitrider, ultra violet laser

AlGaN 系深紫外半導体レーザは医療分野や加工など幅広い応用分野があり実用化が期待されており UV-A、UV-B、UV-C 半導体レーザの室温発振が報告されている。その高性能化には高反射率・ 低反射率誘電体多層膜（DBR）の開発が不可欠である。既に HfO₂-SiO₂などの報告例があるが，反射率 が低いなどの問題もあることからさらなる改善が必要である。今回は DBR の材料として SiO₂-Ta₂O₅を 用いて高反射率膜を作製し、AlGaN 上に作製した UV-B レーザの特性向上について報告する。