[26p-E203-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [26p-E203-3] パターン AlN 上 AlGaN 層を用いた表面状態改善による光励起レーザのしきい値パワー密度の低減の効果

〇(M1)長谷川 亮太¹、田中 隼也¹、大森 智也¹、山田 和輝¹、薮谷 歩武¹、近藤 涼輔¹、松原 衣里¹、岩山 章^1,2、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、三宅 秀人² (1.名城大理工、2.三重大地域イノベ)

キーワード：半導体、窒化物、紫外レーザ

本実験では，サンプル A，B を用いてサファイア上に形成した AlN にナノインプリント法，ICP エッ チングを用いて直径約 450 nm，ピッチ幅 1.0 µm のピラーを形成し，ICP エッチングの時間を制御することでピラ ーの高さを 1.0 µm とし，その後，サンプル A のみ残差処理をおこなった．このナノパターン AlN 上に転位密度の測定には CL による暗点密度を測定することによって評価を行った．