[26p-E206-1~14] CS.6 Code-sharing Session of 6.5 & 7.6

[26p-E206-13] The photoemission characteristic of InGaN in NEA activation under heating

〇Masahiro Kashima¹, Yuya Itokawa¹, Toshiya Kanai¹, Daiki Sato², Atsushi Koizumi², Hokuto Iijima², Tomohiro Nishitani^2,3, Yoshio Honda³, Hiroshi Amano³, Takashi Meguro¹ (1.Tokyo University of Science, 2.Photo electron Soul INC, 3.Institute of Materials and Systems for Sustainability Nagoya University)

Keywords:Negative Electron Affinity, photocathode, InGaN

室温下でCsとO₂の同時供給によりNEA表面を形成した。この表面の形成後、昇温脱離法によるCs脱離スペクトルを測定した結果、複数の吸着状態が表面上に存在していた。電子放出に寄与する吸着状態を調べるために加熱下でNEA表面を形成した結果、300℃から400℃にかけて電子放出特性が大きく低下し、電子放出に寄与する吸着状態はこの範囲で脱離することが考えられ、350℃付近でピークを形成するような吸着状態が寄与することが示唆された。