The 69th JSAP Spring Meeting 2022

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Oral presentation

CS Code-sharing session » 【CS.6】 Code-sharing Session of 6.5 & 7.6

[26p-E206-1~14] CS.6 Code-sharing Session of 6.5 & 7.6

Sat. Mar 26, 2022 1:00 PM - 5:15 PM E206 (E206)

Masahito Tagawa(Kobe Univ.), Naoka Nagamura(NIMS), Masaru Takizawa(立命館大)

4:45 PM - 5:00 PM

[26p-E206-13] The photoemission characteristic of InGaN in NEA activation under heating

〇Masahiro Kashima1, Yuya Itokawa1, Toshiya Kanai1, Daiki Sato2, Atsushi Koizumi2, Hokuto Iijima2, Tomohiro Nishitani2,3, Yoshio Honda3, Hiroshi Amano3, Takashi Meguro1 (1.Tokyo University of Science, 2.Photo electron Soul INC, 3.Institute of Materials and Systems for Sustainability Nagoya University)

Keywords:Negative Electron Affinity, photocathode, InGaN

室温下でCsとO2の同時供給によりNEA表面を形成した。この表面の形成後、昇温脱離法によるCs脱離スペクトルを測定した結果、複数の吸着状態が表面上に存在していた。電子放出に寄与する吸着状態を調べるために加熱下でNEA表面を形成した結果、300℃から400℃にかけて電子放出特性が大きく低下し、電子放出に寄与する吸着状態はこの範囲で脱離することが考えられ、350℃付近でピークを形成するような吸着状態が寄与することが示唆された。