[26p-E206-1~14] CS.6 6.5 表面物理・真空、7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

[26p-E206-13] 加熱下でのNEA活性化におけるInGaNの電子放出特性

〇鹿島 将央¹、糸川 佑也¹、金井 俊也¹、佐藤 大樹²、小泉 淳²、飯島 北斗²、西谷 智博^2,3、本田 善央³、天野 浩³、目黒 多加志¹ (1.東理大、2.（株）Photo electron Soul、3.名大IMaSS)

キーワード：負の電子親和力、フォトカソード、InGaN

室温下でCsとO₂の同時供給によりNEA表面を形成した。この表面の形成後、昇温脱離法によるCs脱離スペクトルを測定した結果、複数の吸着状態が表面上に存在していた。電子放出に寄与する吸着状態を調べるために加熱下でNEA表面を形成した結果、300℃から400℃にかけて電子放出特性が大きく低下し、電子放出に寄与する吸着状態はこの範囲で脱離することが考えられ、350℃付近でピークを形成するような吸着状態が寄与することが示唆された。