[26p-E206-1~14] CS.6 6.5 表面物理・真空、7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

[26p-E206-14] 表面極敏感カソードルミネッセンス法による Ga₂O₃表面の欠陥検出

〇武田 さくら¹、大上 丞¹、加納 朱杜¹、加藤 有香子²、三木 一司³、山中 俊郎⁴、奥野 健也¹ (1.奈良先端大、2.産総研、3.兵庫県立大、4.京大)

キーワード：表面欠陥、カソードルミネッセンス

結晶表面極近傍の欠陥は、薄膜成長や表面近傍の電子輸送に影響を及ぼすため、デバイス応用上、その検出と制御が求められる。結晶欠陥を調べる上で一般的なフォトルミネッセンス法は、表面敏感性に限界がある。そこで従来、表面の欠陥は陽電子消滅法や走査トンネル顕微鏡を用いて検出されてきた。また、電子線の侵入長さが電子エネルギーに強く依存する性質を利用した、エネルギー可変電子線励起ルミネッセンス（カソードルミネッセンス；CL）が開発され、結晶欠陥分布の深さ依存性の研究に用いられてきた[1]。本研究では、電子線侵入長の強い視射角依存性を利用したカソードルミネッセンス法を新たに開発し、欠陥を表面敏感に検出したので報告する。