SiO<sub>2</sub>/Si(001)界面酸化反応におけるn型とp型の比較

講演情報

一般セッション(口頭講演)

CS コードシェアセッション » 【CS.6】 6.5 表面物理・真空、7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

2022年3月26日(土) 13:00 〜 17:15 E206 (E206)

田川雅人(神戸大)、永村直佳(物材機構)、滝沢優(立命館大)

13:30 〜 13:45

〇(P)津田泰孝¹、小川修一^2,3、吉越章隆¹、坂本徹哉¹、冨永亜希¹、山本善貴⁴、山本幸男⁴、高桑雄二⁵ (1.原子力機構MSR、2.東北大SRIS、3.東北大IMRAM、4.福井高専、5.東北大μSIC)

キーワード：半導体、酸化、シリコン