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[26p-E301-7] GaAs基板上メタモルフィックInAsSbへの熱アニールによる結晶性への影響評価
キーワード:中赤外、有機金属気相成長法、InAsSb
今回、GaAs基板上InAsSbを成長後アニールすることによって結晶性の改善を目指した。試料はMOVPE(有機金属気相成長)法を用いて、アニール無しのものとアニールを550℃、650℃で行ったものそれぞれ作成した。フォトルミネッセンス(PL)法による発光強度の測定、原子間力顕微鏡(AFM)による表面平坦性の評価を行った結果、アニール無しでは確認できなかった発光がアニール後は確認できた。また表面平坦性についてはアニールにより悪化した。