[26p-F408-1~11] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[26p-F408-8] Variation of the Properties of Cat-CVD SiN_x Films by Fire-through process

〇Toshiki Itasaka¹, Tomihisa Tachibana², Thi Cam Huynh Tu¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST, 2.AIST)

Keywords:c-Si solar cell

Cat-CVD法で屈折率を変化させてフラットウエハに堆積したSiN_xに対して温度を変化させてファイヤースルーを行い、膜特性の変化を調査した。XRR測定の結果、膜密度は、2.5-2.8 g/cm³の値を示しており、ファイヤースルー温度が高くなるほど膜密度が増大することがわかった。ファイヤースルーによる膜密度の変化は、アニールによる膜中水素の脱離と膜の緻密化が原因であると考えられる。