[26p-F408-1~11] 16.3 シリコン系太陽電池

[26p-F408-8] ファイヤースルーによるCat-CVD SiN_x膜の特性変化

〇板坂 年希¹、立花 福久²、Huynh Tu Thi Cam¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大、2.産総研)

キーワード：結晶シリコン太陽電池

Cat-CVD法で屈折率を変化させてフラットウエハに堆積したSiN_xに対して温度を変化させてファイヤースルーを行い、膜特性の変化を調査した。XRR測定の結果、膜密度は、2.5-2.8 g/cm³の値を示しており、ファイヤースルー温度が高くなるほど膜密度が増大することがわかった。ファイヤースルーによる膜密度の変化は、アニールによる膜中水素の脱離と膜の緻密化が原因であると考えられる。