15:00 〜 15:15 [15p-D511-6] 高濃度イオン注入/アニールSiCの表面幾何学構造の解明 〇石地 耕太朗1、有田 誠2、足立 真理子3、和田 邑一4、山田 泰弘4、荒木 努4 (1.九州シンクロ、2.九州大、3.ナノフォトン、4.立命館大)