上田修

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発表者・著者、共著者

2023年3月16日(木) 09:30 〜 11:45 A205 (6号館)

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[16a-A205-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

11:15 〜 11:30

[16a-A205-7] (001)GaAs基板上のGaAs_1-xBi_x薄膜の構造評価(1)熱処理した低温成長GaAs_1-xBi_x薄膜中の欠陥のTEM評価

〇上田修¹、池永訓昭²、堀田行紘³、高垣佑斗³、西山文隆³、行宗詳規⁴、石川史太郎⁵、富永依里子³ (1.明治大、2.金沢工大、3.広島大、4.愛媛大、5.北海道大)

11:30 〜 11:45

[16a-A205-8] (001)GaAs基板上のGaAs_1-xBi_x薄膜の構造評価(2)固相成長したGaAs_1-xBi_x薄膜中の欠陥のTEM評価

〇上田修¹、池永訓昭²、堀田行紘³、高垣佑斗³、西山文隆³、行宗詳規⁴、石川史太郎⁵、富永依里子³ (1.明治大、2.金沢工大、3.広島大、4.愛媛大、5.北海道大)

2023年3月16日(木) 13:30 〜 16:45 E102 (12号館)

一般セッション(口頭講演)
| 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
| 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-E102-1~12] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13:45 〜 14:00

[16p-E102-2] (001) FZ成長ε-GaFeO₃基板上にミストCVD成長したκ-(In_xGa_1-x)₂O₃薄膜中の欠陥のTEM評価

〇上田修¹、西中浩之²、池永訓昭³、蓮池紀幸²、吉本昌広² (1.明治大、2.京都工繊大、3.金沢工大)