10:00 〜 10:15 [18a-A301-5] EID AlGaN/GaN MOS-HEMTのスイッチング動作実証 〇南條 拓真1、山本 章太郎1、品川 友宏1、綿引 達郎1、古橋 壮之1、西川 和康1、江川 孝志2 (1.三菱電機 先端総研、2.名工大)