10:45 〜 11:00 [17a-A403-7] 200 nm SOI MOSFETの極低温下における基板バイアス効果及び履歴現象 〇森 貴之1、杉井 辰吉1、李 龍聖1、岡 博史2、森 貴洋2、井田 次郎1 (1.金沢工大、2.産総研)