10:00 〜 10:15 [18a-B401-5] Si含有GaNターゲットを用いたn型GaN薄膜の作製と評価 〇飯浜 準也1、板東 廣朗1、加納 絵梨沙1、末本 祐也1、楠瀬 好郎1、上岡 義弘1、召田 雅実1 (1.東ソー株式会社)