12:15 〜 12:30 [18a-A301-13] GaN HEMT on-diamond構造の作製及び特性評価 〇(M1)早川 譲稀1、大野 裕2、永井 康介2、重川 直輝1、梁 剣波1 (1.大阪公大院工、2.東北大学金研)