Yang Tianlin

→ Google ScholarでYang Tianlinを検索

発表者・著者、共著者

2023年3月16日(木) 09:30 〜 12:00 A301 (6号館)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16a-A301-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:30 〜 10:45

▼ [16a-A301-5] Understandings of the kinetics of N-incorporation and N-removal reactions for the 4H-SiC surface using the SiC consumption rate as an essential factor

〇(D)Yang Tianlin¹、Koji Kita^1,2 (1.School of Eng., The Univ. of Tokyo、2.School of Frontier Sci. , The Univ. of Tokyo)