09:30 〜 11:30 [15a-PA01-55] 1T-VSe2の表面酸化膜を用いた抵抗変化メモリの作製 〇(B)中村 優太1、稲田 貢1、谷 弘詞1、上野 啓司2、山本 真人1 (1.関西大システム理工、2.埼玉大院理工)