16:30 〜 16:45 [15p-A301-13] 4H-SiC on-axisエピタキシャル成長における3Cインクルージョンの発生と基板の螺旋転位密度の関係 〇升本 恵子1、児島 一聡1、田中 保宣1 (1.産総研)
