15:30 〜 15:45 [15p-A301-9] レーザードーピング時におけるSiC基板の四探針抵抗測定に関する考察 〇妹川 要1、納富 良一1、宇佐見 康継1、保原 麗2、長谷川 修司2 (1.ギガフォトン(株)、2.東京大学)