JoongWon Shin

→ Google ScholarでJoongWon Shinを検索

発表者・著者、共著者

2023年3月15日(水) 13:00 〜 18:30 A404 (6号館)

一般セッション(口頭講演)
| 6 薄膜・表面
| 6.1 強誘電体薄膜

[15p-A404-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

14:00 〜 14:15

▼ [15p-A404-5] Effects of plasma damage reduction for Pt gate electrode deposition on the variation of MFSFET characteristics with ferroelectric nondoped HfO₂

〇(D)JoongWon Shin¹、Masakazu Tanuma¹、Shun-ichiro Ohmi¹ (1.Tokyo Inst. of Technology)