17:15 〜 17:30 △ [15p-B401-16] Si基板上ELO-GaNを用いた100 μm共振器GaN系端面発光LDの新規作製技術 〇宇佐川 元久1、川口 佳伸1、村川 賢太郎1、古茂田 晶子1、青木 優太1、横山 毅1、外村 瑞基1、武内 一真1、神川 剛1 (1.京セラ)