15:00 〜 15:15 △ [15p-B401-8] Si3N4メタサーフェスを利用した半極性(20-21) InGaN円偏光素子の設計 〇村田 雄生1、市川 修平1,2、戸田 晋太郎1,3、藤原 康文1、小島 一信1、中川 貴1 (1.阪大院工、2.阪大超高圧電顕センター、3.アルバック協働研)