XIAOQIAN WANG

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発表者・著者、共著者

2023年3月15日(水) 13:30 〜 18:15 E102 (12号館)

一般セッション(口頭講演)
| 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
| 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15p-E102-1~17] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:45 〜 15:00

▲ [15p-E102-6] Metal–semiconductor transition of hydrogen-doped In₂O₃ via solid-phase crystallization.

〇XIAOQIAN WANG¹、Mamoru Furuta¹ (1.Kochi Univ. of Tech.)