16:00 〜 18:00 [15p-PA05-4] Si(111)基板上への高密度 InAs 量子ナノワイヤの MBE成長 〇(M1C)中川 竜輔1、渡部 陸太1、宮下 直也1、山口 浩一1 (1.電通大基盤理工)