10:15 〜 10:30 [16a-A301-4] ステップを持つSiC MOS界面におけるNO窒化処理の移動度改善効果の解析 〇舩木 七星斗1、横田 知真1、植本 光治1、細井 卓治2、小野 倫也1 (1.神戸大工、2.関西学院大工)