11:00 〜 11:15 △ [16a-A301-6] 4H-SiC/ゲート絶縁膜界面への窒素導入プロセスの低温化の検討 〇佐々木 琉1、中島 辰海1、女屋 崇2、喜多 浩之1,2 (1.東大院工、2.東大院新領域)