10:30 〜 10:45 △ [16a-A408-7] 表面終端処理、酸化膜堆積の連続プロセスによる ダイヤモンド MOSFET のヒステリシス低減 〇佐藤 解1、市川 公善1、林 寛1、小倉 政彦2、牧野 俊晴2、加藤 宙光2、竹内 大輔2、猪熊 孝夫1、山崎 聡1、徳田 規夫1、松本 翼1 (1.金沢大学、2.産総研)