15:45 〜 16:00 △ [16p-A408-11] h-BN被覆による水素終端下・単一ダイヤモンドNV中心のスピン操作 〇蔭浦 泰資1,2、笹間 陽介1、寺地 徳之1、渡邊 賢司1、谷口 尚1、山田 圭介3、小野田 忍3、山口 尚秀1 (1.物材機構、2.産総研、3.量研機構)