09:30 〜 09:45 [17a-A408-1] α-Ga2O3/4H-SiC直接接合の作製と界面構造の評価 〇(M1)山本 誠志郎1、大島 祐一2、大野 裕3、永井 康介3、重川 直輝1、梁 剣波1 (1.大阪公大院工、2.物質・材料研究機構、3.東北大学金研)