17:15 〜 17:30 [17p-A301-16] エッチング停止位置検出層の導入によるゲートリセス構造AlGaN/GaN HEMTのしきい値電圧制御性の向上 〇大石 健介1、高橋 英匡1、安藤 裕二1,2、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)