13:45 〜 14:00 △ [17p-A301-4] 単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価(Ⅱ) 〇川出 智之1、田中 さくら1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大工)
14:00 〜 14:15 [17p-A301-5] 単結晶AlN基板上への高AlN比Al0.7Ga0.3NチャネルHFETの作製 〇川出 智之1、田中 さくら1、米谷 宜展1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大工)