14:15 〜 14:30 △ [17p-A301-6] 電子線照射により窒素変位関連欠陥を選択的に導入したホモエピタキシャル成長GaN p-n接合ダイオードの再結合電流解析 〇遠藤 彗1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)