16:00 〜 18:00 [17p-PB07-2] c面活性層を持つInGaN/GaNナノコラム構造の検討 〇赤坂 康一郎1、石沢 峻介1、両角 浩一1、赤塚 泰斗1、中川 洋平1、野田 貴史1、岸野 克巳2 (1.セイコーエプソン(株)、2.上智大ナノテク)