一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
10:00 〜 10:15
〇(M1)大澤 樹1、庄司 拓貴1、金子 健太1、金子 智2,1、松田 晃史1、吉本 護1 (1.東工大物質理工、2.神奈川産技総研)
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10:15 〜 10:30
〇浜砂 智1、パティ サトウヤ プラカシュ1、矢嶋 赳彬1 (1.九州大学)
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10:30 〜 10:45
〇宮谷 俊輝1、上沼 睦典2、浦岡 行治2、木本 恒暢1、西 佑介1,3 (1.京大院工、2.奈良先端大、3.舞鶴高専)
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10:45 〜 11:00
〇高橋 竜太1、鈴木 静華1、徳永 智春2、山本 剛久2、リップマー ミック3 (1.日大工、2.名大工、3.東大物性研)
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11:00 〜 11:15
〇(D)鈴木 静華1、太宰 卓朗1、徳永 智春2、山本 剛久2、加藤 隆二1、高橋 竜太1 (1.日大工、2.名大工)
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11:15 〜 11:30
〇磯田 洋介1、菅 大介1、間嶋 拓也2、島川 祐一1 (1.京大化研、2.京大院工)
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