一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
09:30 〜 09:45
〇(M1)山本 誠志郎1、大島 祐一2、大野 裕3、永井 康介3、重川 直輝1、梁 剣波1 (1.大阪公大院工、2.物質・材料研究機構、3.東北大学金研)
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09:45 〜 10:00
〇(D)Rahul Deeliprao Deshmukh1、Mitsuhiro Honda1、Yo Ichikawa1 (1.Nagoya Inst.of Tech.)
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10:00 〜 10:15
〇藤岡 秀太1、伊藤 皇聖1、内田 涼太1、野田 啓1 (1.慶應大理工)
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10:15 〜 10:30
張 銘鑫1、張 恩棟1、〇加藤 正史1 (1.名工大)
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10:45 〜 11:00
〇本田 光裕1、落合 剛2、Popy Listiani1、山口 佑馬1、市川 洋1 (1.名工大応物、2.KISTEC)
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11:00 〜 11:15
〇笹原 悠輝1,2、廣瀬 隆1、吉本 将隆1、松井 直喜1,3、小林 成1、生方 宏樹2、竹入 史隆4,5、鈴木 耕太1,3,6、平山 雅章1,3、西尾 和記1、清水 亮太1,6、菅野 了次1,3、小林 玄器4,5,7、一杉 太郎1,8 (1.東工大物質理工、2.京大院工、3.東工大科創院、4.分子研、5.総研大、6.JSTさきがけ、7.理研、8.東大院理)
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11:15 〜 11:30
〇松田 菜月1、辻 健太1、面迫 啓介1、神野 伊策1 (1.神戸大工)
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