[15a-A301-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [15a-A301-1] 電子線照射により形成した4H-SiC中シリコン空孔の荷電状態とドーピング濃度の関係

〇張 盛杰^1,2、佐藤 真一郎¹、村田 晃一³、花輪 雅史³、元木 秀^2,1、張 啓航^1,2、土田 秀一³、土方 泰斗²、大島 武¹ (1.量研、2.埼玉大院、3.電中研)

キーワード：炭化ケイ素、高エネルギー電子線、シリコン空孔

炭化ケイ素(SiC)中の-1価のシリコン空孔は、磁場や温度を高感度に検出できる「量子センサ」としての応用が期待されているが、ドーピング濃度によってシリコン空孔の荷電状態は変化するため、その関係を明らかにする必要がある。本研究では、異なるドーピング濃度を有する4H-SiCに高エネルギー電子線を照射することでシリコン空孔を形成し、その荷電状態をフォトルミネッセンス(PL)測定の結果に基づき解析した。