[15a-A408-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

[15a-A408-5] 大型バルク(100)CVD単結晶成長と加工による高次の面指数を持つ単結晶ダイヤモンド自立基板作製

〇嶋岡 毅紘¹、山田 英明¹、茶谷原 昭義¹ (1.産総研)

キーワード：ダイヤモンド、化学気相成長、自立膜

（111）面や(113)面など、高次の面指数を持った面は不純物ドーピングの制御性に優れる一方、ダイヤモンドでは大口径化が容易でない。本研究では、(100)バルクCVD単結晶の加工による(111)単結晶基板作製を検証した。10mm × 10mm × 6mmtの(100)バルク単結晶切り出しにより7mm × 6mm の単結晶(111)基板、ダイレクトウエハ法によるクローン自立膜の作製に成功した。