The 70th JSAP Spring Meeting 2023

Presentation information

Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.3 Oxide electronics

[15a-A409-1~6] 6.3 Oxide electronics

Wed. Mar 15, 2023 10:00 AM - 11:30 AM A409 (Building No. 6)

Hidekazu Tanaka(Osaka Univ.)

10:15 AM - 10:30 AM

[15a-A409-2] Equivalence of gate-induced phase transition and temperature-induced phase transition
in VO2 three-terminal devices

Satoshi Hamasuna1, Satya Prakash Pati1, Takeaki Yajima1 (1.Kyushu Univ.)

Keywords:oxide, three terminal device

VO2は室温近傍で金属絶縁体転移を示し電気抵抗を約3桁減少させる。この特性を利用した三端子素子の実現に向け広く研究がなされている一方で、ゲート誘起の転移と温度誘起相転移と比較して熱力学的にどのような特徴を示すのかは明らかとなっていない。本研究では固体ゲート素子を用いて電気測定と金属ドメインの観察を行い、ゲート誘起相転移が温度誘起転移と一致し、熱力学的に準平衡過程とみなせることを明らかにした。