[15a-A409-1~6] 6.3 Oxide electronics

△ [15a-A409-3] Oxygen-vacancy transport properties during analog reset processes in Pt/TaO_x/Ta₂O₅/Pt cells

〇Toshiki Miyatani¹, Mutsunori Uenuma², Yukiharu Uraoka², Tsunenobu Kimoto¹, Yusuke Nishi^1,3 (1.Kyoto Univ., 2.NAIST, 3.NIT Maizuru College)

Keywords:Resistive switching, oxygen vacancy, Joule heating

抵抗変化型メモリ(ReRAM)において、酸化物層中に形成される導電性フィラメントで発生するジュール熱は、フィラメントを構成する酸素空孔(V_O)の輸送特性に大きな影響を与えると考えられている。本研究では、フィラメントで発生するジュール熱が、アナログ高抵抗化時のV_Oの輸送特性に与える影響を、赤外線発熱解析装置を用いた実験的評価およびシミュレーション解析を行った。