[15a-A409-1~6] 6.3 Oxide electronics

[15a-A409-4] He buffer gas effect on Y₂O₃ thin film growth

〇Ryota Takahashi¹, Shizuka Suzuki¹, Tomoharu Tokunaga², Takahisa Yamamoto², Mikk Lippmaa³ (1.Nihon Univ., 2.Nagoya Univ., 3.Univ. Tokyo)

Keywords:Pulsed laser deposition, Oxide film

パルスレーザー堆積(PLD)装置を用いてより高い結晶性を有する酸化物薄膜を堆積するには、温度と酸素圧が最適化されたGrowth windowとも呼ばれる熱力化学的条件下で薄膜を作ることが望まれる。しかし、Nd:YAGなどの高いエネルギー密度を有するパルスレーザーをPLDに用いた場合、プルームのエネルギーが非常に高くなり、堆積した薄膜をリスパッタしてしまう。結果として、薄膜中の欠陥量が高まることに繋がる。Nd:YAGレーザーを用いたPLDプロセス上の課題を解決するべく、Heバッファーガスの導入を提案し、HeガスがY₂O₃薄膜成長に及ぼす影響について調べた。