[15a-A409-1~6] 6.3 Oxide electronics

△ [15a-A409-2] Equivalence of gate-induced phase transition and temperature-induced phase transition
in VO₂ three-terminal devices

〇Satoshi Hamasuna¹, Satya Prakash Pati¹, Takeaki Yajima¹ (1.Kyushu Univ.)

Keywords:oxide, three terminal device

VO₂は室温近傍で金属絶縁体転移を示し電気抵抗を約3桁減少させる。この特性を利用した三端子素子の実現に向け広く研究がなされている一方で、ゲート誘起の転移と温度誘起相転移と比較して熱力学的にどのような特徴を示すのかは明らかとなっていない。本研究では固体ゲート素子を用いて電気測定と金属ドメインの観察を行い、ゲート誘起相転移が温度誘起転移と一致し、熱力学的に準平衡過程とみなせることを明らかにした。