10:30 AM - 10:45 AM
△ [15a-A409-3] Oxygen-vacancy transport properties during analog reset processes in Pt/TaOx/Ta2O5/Pt cells
Keywords:Resistive switching, oxygen vacancy, Joule heating
抵抗変化型メモリ(ReRAM)において、酸化物層中に形成される導電性フィラメントで発生するジュール熱は、フィラメントを構成する酸素空孔(VO)の輸送特性に大きな影響を与えると考えられている。本研究では、フィラメントで発生するジュール熱が、アナログ高抵抗化時のVOの輸送特性に与える影響を、赤外線発熱解析装置を用いた実験的評価およびシミュレーション解析を行った。