The 70th JSAP Spring Meeting 2023

Presentation information

Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.3 Oxide electronics

[15a-A409-1~6] 6.3 Oxide electronics

Wed. Mar 15, 2023 10:00 AM - 11:30 AM A409 (Building No. 6)

Hidekazu Tanaka(Osaka Univ.)

10:30 AM - 10:45 AM

[15a-A409-3] Oxygen-vacancy transport properties during analog reset processes in Pt/TaOx/Ta2O5/Pt cells

Toshiki Miyatani1, Mutsunori Uenuma2, Yukiharu Uraoka2, Tsunenobu Kimoto1, Yusuke Nishi1,3 (1.Kyoto Univ., 2.NAIST, 3.NIT Maizuru College)

Keywords:Resistive switching, oxygen vacancy, Joule heating

抵抗変化型メモリ(ReRAM)において、酸化物層中に形成される導電性フィラメントで発生するジュール熱は、フィラメントを構成する酸素空孔(VO)の輸送特性に大きな影響を与えると考えられている。本研究では、フィラメントで発生するジュール熱が、アナログ高抵抗化時のVOの輸送特性に与える影響を、赤外線発熱解析装置を用いた実験的評価およびシミュレーション解析を行った。