[15a-A409-1~6] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [15a-A409-3] Pt/TaO_x/Ta₂O₅/Pt抵抗変化素子のアナログ高抵抗化時の酸素空孔輸送特性

〇宮谷 俊輝¹、上沼 睦典²、浦岡 行治²、木本 恒暢¹、西 佑介^1,3 (1.京大院工、2.奈良先端大、3.舞鶴高専)

キーワード：抵抗変化、酸素空孔、ジュール熱

抵抗変化型メモリ(ReRAM)において、酸化物層中に形成される導電性フィラメントで発生するジュール熱は、フィラメントを構成する酸素空孔(V_O)の輸送特性に大きな影響を与えると考えられている。本研究では、フィラメントで発生するジュール熱が、アナログ高抵抗化時のV_Oの輸送特性に与える影響を、赤外線発熱解析装置を用いた実験的評価およびシミュレーション解析を行った。