[15a-B401-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

[15a-B401-1] 窒素RFパワー変化によるナノコラム結晶のGaInNバッファ層形状均一化の検討

〇赤川 広海¹、山田 純平^2,3、山口 智広¹、富樫 理恵^2,3、尾沼 猛儀¹、野村 一郎^2,3、本田 徹¹、岸野 克巳^2,3 (1.工学院大、2.上智大ナノテク、3.上智大理工)

キーワード：半導体、ナノコラム、MBE