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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[15a-B401-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

2023年3月15日(水) 09:45 〜 11:30 B401 (2号館)

齋藤義樹(豊田合成)

10:00 〜 10:15

[15a-B401-2] その場XRD-RSMを用いたGaN上GaInN Buffer層挿入
GaInN RF-MBE成長における格子緩和過程観察

〇(M1)竹内丈¹、佐々木拓生²、横山晴香¹、尾沼猛儀¹、本田徹¹、山口智広¹、名西憓之³ (1.工学院大学、2.量子科学技術研究開発機構、3.立命館大学)

キーワード：RF-MBE、GaInN、XRD-RSM