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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[15a-B401-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

2023年3月15日(水) 09:45 〜 11:30 B401 (2号館)

齋藤義樹(豊田合成)

10:15 〜 10:30

[15a-B401-3] スパッタ法による高濃度Mg添加p型InGaN薄膜の成長と評価

〇内藤愛子¹、上野耕平¹、小林篤¹、藤岡洋¹ (1.東大生研)

キーワード：スパッタリング、窒化インジウムガリウム、ドーピング