[15a-B401-1~7] 15.4 III-V-group nitride crystals

[15a-B401-4] Growh of thick underlaying GaN layers for orientation control of cubic InN nanowires

〇Ren Ashibe¹, Shuhei Yagi¹, Hiroyuki Yaguchi¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:nitride semiconductor, GaN, orientation control

我々はこれまで立方晶（c-）GaN表面に形成したV溝構造を利用して、面内方向に立方晶（c-）InN ナノワイヤの自己組織化成長ができることを示した。c-InN ナノワイヤのアスペクト比や配向性は下地GaN層の表面形状を反映するため、その制御が重要となる。今回、GaN層の厚膜化で表面V溝構造の配向性が増加することが分かったので、発光特性と合わせて報告する。